微谱半导体晶圆材料领域技术服务
服务简述
高纯硅料、高纯石英作为半导体器件的原材料，其金属含量会直接影响器件的合格率，硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污,进而导致器件的失效，例如轻金属（Na、 Mg、Al、K、Ca等）会导致器件击穿电压降低、重金属（Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等）会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。而制程中使用的聚合物所释放出的有机挥发物，也同样可以使良品率下降。微谱半导体为解决客户中常见的洁净度测试需求，为客户提供在百级无尘室的相关元素离子含量测试、表面元素测试、分子量测试、理化指标测试。仪器覆盖元素类、电镜类等。
服务内容
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产品分类 |
测试类别 |
仪器名称 |
检测项目 |
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半导体晶圆材料分析和检测 |
晶圆材料洁净度测试 |
ICP-MS |
测试高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片的表金属 |
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ICP-MS/MS |
测试高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、碳化硅晶圆的体金属 |
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VPD-ICP-MS/MS |
测硅片、硅晶圆、碳化硅晶圆表金属 |
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TXRF |
测试硅晶圆、碳化硅晶圆表面金属元素 |
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GDMS |
测试固体样品从锂到铀之间所有元素成分 |
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D-SIMS |
测硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底bulk B、P、C、O、N、H、As等 测硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底B、P、C、O、N、H、As等深度分析 |
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离子色谱IC |
测试高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片的阴阳离子 |
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SPV |
测试硅晶圆、碳化硅晶圆中Fe |
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SRP |
测试硅晶圆、碳化硅晶圆中深度的P、B |
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XPS |
测试晶圆表面元素 |
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晶圆材料显微表征 |
FIB |
快速、高质量、定点制样、成像 |
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FESEM-EDS |
观察硅晶圆、碳化硅晶圆微观形貌/尺寸、镀层厚度分析、元素分析（点扫、线扫、面扫）等 |
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TEM |
观察硅晶圆、碳化硅晶圆微观形貌/尺寸、电子衍射图片，二维晶格面、明/暗场图片、元素分析等 |
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AFM |
观察硅晶圆、碳化硅晶圆等相图、粗糙度、表面形貌、膜层厚度 |
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XRT |
测试硅、碳化硅晶圆缺陷 |
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SIRD |
测试硅、氮化镓、砷化镓边缘缺陷 |
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KLA SP1/SP3/SP5/SP7 |
硅晶圆表面颗粒物/缺陷的形貌 |
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速普FST5000 |
测试SIO2、SiC、蓝宝石薄膜应力 |
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EDR7380 |
搭配KLA SP3/SP5可测12寸硅晶圆表面颗粒物的成分分析 |
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4PP |
测试电阻率 |
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Wafersight 2 |
探测样品成分和纵向分布，可用于研究SEI膜成分 |
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晶圆材料成分分析 |
FTIR |
晶圆表面出现的异物进行红外的定性分析 |
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NMR |
晶圆表面出现的异物进行核磁的定量分析 |
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EDS |
多种模式下（面扫、线扫、点扫）测量样品微区表面的元素种类与含量 |
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AAS |
各种晶圆原材料中微量常见金属、重金属以及稀土金属元素含量的测试 |
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EELS |
用于对材料元素成分（尤其轻元素）的分析 |
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GC |
实现混合组分中小分子有机物及易挥发组分的分离定性及定量分析，如晶圆表面析出气体的气体分析 |
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高频红外碳硫分析仪 |
获得材料中碳含量和硫含量的分析 |
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XRD |
获得材料、涂层的晶体结构、结晶度、石墨化度、取向度（OI值）等信息 |
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UV/VIS/IR |
用于溶液透射率、吸收度、反射性质的分析 |
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AES |
实现大于20 nm直径的异物表面的化学信息分析 |
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晶圆材料失效分析 |
FIB |
对晶圆缺陷点进行切割制样，方便观察其缺陷 |
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SEM |
观察显微层面的缺陷，即失效点观察 |
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SIRP |
高温引起的边缘缺陷、外延炉Susceptor老化造成的缺陷、Support in造成的Pin Mark缺陷 |
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AFM |
获得晶圆材料的表面观察、尺寸测定、表面粗糙测定、颗粒度解析、缺陷分析等信息 |
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X-RAY |
无损检测，基于X射线的不同被吸收情况,通过检测晶圆材料的密度差异来检测其中的缺陷。 |
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晶圆材料可靠性验证 |
CT |
可实现晶圆材料的内部及外部测量、断层扫描、尺寸比对、壁厚分析、缺陷查找与分析等 |
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TGA |
研究材料的热稳定性及其组分 |
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TGA-IR-GCMS |
精确检测材料各组分的热稳定性能、热分解过程并确定逸出和分解产物的类别及含量 |
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DMA |
测量材料的模量、阻尼、蠕变、应力松弛、玻璃化转变、软化点、膨胀系数等参数 |
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TMA |
对材料在加热情况下的扩张性和收缩性的评估 |
6.1晶圆表面异物测试Wafer Surface Foreign Object Testing
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测试项目Test items |
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表面异物的全成分分析 |
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表面固体异物的金属元素GDMS测试 |
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表面非固体异物的ICP测试 |
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表面异物的阴阳离子测试 |
6.2晶圆表面挥发性有机物检测Detection of Wolatile Organic Compounds on Wafer Surface
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测试项目Test items |
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晶圆表面outgassing测试 |
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VOC测试 |
6.3晶圆洁净度测试Wafer Cleanliness Test
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测试项目Test items |
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晶圆表金属测试Wafer Metal Testing |
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晶圆表面阴阳离子测试Wafer Surface Anion and Aation Testing |
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晶圆表面颗粒物Wafer Surface Particles |
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SPV测试铁 |
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VPD测试铜 |
6.3.1晶圆表面金属元素测试Metal Element Testing on Wafer Surface
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测试项目Test items |
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6-12寸硅晶圆VPD-ICP-MS/MS |
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4~8寸硅晶圆 6寸碳化硅晶圆 6寸蓝宝石 TXRF |
6.3.2晶圆表面阴阳离子测试
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测试项目Test items |
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6、8寸硅/碳化硅晶圆离子色谱仪 (万通940) |
6.3.3晶圆表面颗粒物测试
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测试项目Test items |
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KLA SP1、SP3、SP5、SP7 |
6.4电子级硅材料体金属测试
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测试项目Test items |
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多晶硅料（7N以上）ICP-MS/MS (安捷伦 7900) |
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多晶硅料 (9N以上) ICP-MS/MS (安捷伦 8900) |
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石英 （4N以上）ICP-MS/MS (安捷伦 7900) |
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多晶硅料/石英ICP-MS/MS (安捷伦 7900) |
6.5DSIMS体相测试
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测试项目Test items |
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硅基C H O N B P As在样品中均匀分布 |
6.6DSIMS深度测试
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测试项目Test items |
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半导体表面金属沾污 |
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SiO2/SiC中氢元素污染测试 |
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LED器件分析 |
6.7晶圆平整度测试
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测试项目Test items |
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Wafer side 2 |
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FM200 |
6.8晶圆电阻率测试
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测试项目Test items |
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霍尔效应 |
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四探针 |
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探针台 |
6.9晶圆粗糙度测试
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测试项目Test items |
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硅、氮化镓、砷化镓衬底表面粗糙度 |
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8寸晶圆3D轮廓仪 |
6.10晶圆膜厚测试
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测试项目Test items |
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椭偏仪测试6寸硅晶圆原子层沉积Sio2膜层厚度 |
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椭偏仪测试光刻胶、顶硅、二氧化硅三层薄膜的厚度 |
6.11晶圆缺陷测试
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测试项目Test items |
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SIRD测硅、氮化镓、砷化镓衬底边缘缺陷 |
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KLA8420/8520碳化硅缺陷测试 |
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XRT测硅、碳化硅衬底缺陷 |
6.12晶圆应力测试
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测试项目Test items |
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SIRD测12寸晶圆应力 |
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速普FST5000测8寸以下的透光衬底(如SiO2、SiC、蓝宝石)内应力 |
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速普 FST5000测6/8寸晶圆薄膜应力(镀膜前后量测差减) |
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