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芯片及器件失效分析
微谱芯片及器件领域技术服务
服务简述： 微谱失效分析平台是通过成分分析、材料特性表征、理化性能测试、显微缺陷精定位、破坏性物理分析、板级应力应变分析等手段，为芯片及器件领域提供研发、生产、市场失效问题综合解决方案。
服务内容
芯片及器件常见的失效模式：
晶圆失效：结晶缺陷、晶格缺陷、PN结参杂缺陷、外延层缺陷、介电材料缺陷、晶圆分层/划伤/崩边/开裂。
芯片开路：冷焊、焊点开裂、绑线断裂、芯片分层/断裂、内线路开裂。
芯片短路：ESD、EOS、过应力失效、闩锁效应、焊接短路、绑线搭接、腐蚀、电化学迁移。
主要分析手段：
无损分析技术：光学显微分析技术、X射线透视技术、三维透视技术、反射式扫描声学显微技术（C-SAM）
电测：连接性测试、电参数测试、功能测试、IV曲线测试
失效定位技术：显微红外热像技术、光发射显微分析 (EMMI)、砷化镓铟微光显微镜 (InGaAs)、激光电阻变化侦测（OBIRCH)
制样技术: 开封技术（机械开封、化学开封、激光开封）、去钝化层技术（化学腐蚀去钝化层、反应等离子刻蚀去钝化层RIE、机械研磨去钝化层）、微区分析技术（FIB、CP）
表面元素分析：扫描电镜及能谱分析（SEM/EDS）、俄歇电子能谱分析（AES）、X射线光电子能谱分析（XPS）、二次离子质谱分析（SIMS）
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